IBM dan Samsung telah mengumumkan pembangunan reka bentuk semikonduktor baharu yang dilaporkan akan mengurangkan jejak karbon darpiada proses seperti perlombongan mata wang kripto atau penyulitan data, serta memanjangkan hayat bateri telefon dengan margin yang besar.

Pada asasnya, gergasi teknologi itu telah menemui cara lain untuk menyusun transistor secara menegak pada cip berbanding permukaan rata pada semikonduktor. Proses ini digelar, Vertical Transport Field Effect Transistor (VTFET), dan berada di landasan untuk menjayakan reka bentuk FinFET semasa yang digunakan dalam beberapa cip tercanggih masa kini.

VTFET

IBM dan Samsung telah mengumumkan seni bina reka bentuk pembuatan semikonduktor baharu yang mereka panggil Vertical-Transport Nanosheet Field Effect Transistor (VTFET untuk pendek). Prinsip reka bentuk pembuatan baharu menjanjikan untuk membolehkan peningkatan ketumpatan transistor selanjutnya, serta prestasi dua kali ganda pada penggunaan kuasa yang sama, atau kecekapan tenaga 85% lebih tinggi untuk prestasi keseluruhan yang sama berbanding alternatif finFET berskala serupa.

Dengan meningkatkan bagaimana transistor padat boleh dibungkus dalam cip, IBM dan Samsung mendakwa bahawa VTFET boleh memudahkan matlamat undang-undang Moore untuk terus meningkatkan kiraan transistor bergerak ke hadapan. Kedua-dua syarikat membuat beberapa tuntutan besar, dengan menyatakan bahawa cip VTFET boleh menawarkan peningkatan dua kali ganda dalam prestasi atau pengurangan 85% dalam penggunaan tenaga berbanding reka bentuk FinFET.

Kini, masih kurang jelas mengenai teknologi mana yang akan digunakan oleh industri yang berubah ke saiz dan ketumpatan transistor sub-nanometer. Sama ada melalui VTFET atau CASFET (yang telah membawa prinsip reka bentuk pengkomputeran kuantum kepada reka bentuk transistor) atau penyelesaian teknologi yang lain. Apa yang pasti, fizik pun tidak boleh menghalang kemajuan teknologi kita.

Dalam proses pembuatan, pengilang telah bergelut untuk mengekalkan Undang-undang Moore selama bertahun-tahun, dengan pelbagai penyelesaian kepada masalah pengecilan transistor yang semakin sukar. Kelewatan berterusan Intel bagi nod 10 nmnya sebelum berjaya membawa reka bentuk SuperFin juga boleh dijadikan contoh. Hakikatnya, walaupun Intel, iaitu pengeluar semikonduktor terbesar dengan aset pelaburan yang banyak, gagal menggunakan jalan ini, menujukkan pergolakan pasaran sedemikian cukup untuk mempamerkan betapa pentingnya penambahbaikan pembuatan ini untuk berjaya.